基本信息
何力  男  博导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: lihe@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 玉田路500号材料器件中心
邮政编码: 200083

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体器件及材料物理

教育背景

1985-07--1988-02   日本北海道大学电机工程系   博士
1982-07--1985-07   日本东京电气通讯大学电子工程系   硕士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
1992-12~1994-12,美国普渡大学电气工程系, 博士后
1990-12~1992-12,德国维尔茨堡大学物理所, 德国洪堡基金会研究员
1990-11~2011-07,中科院上海技术物理研究所, 所长、研究室主任
1985-07~1988-02,日本北海道大学电机工程系, 博士
1982-07~1985-07,日本东京电气通讯大学电子工程系, 硕士
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
( 1 ) 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: 200410053175

出版信息

   
发表论文
(1) MBE HgCdTe on Si and GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者
(2) MBE HgCdTe: A challenge towards to the realization of third GEN infrared FPAs, Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 第 1 作者
发表著作
( 1 ) 先进焦平面技术导论, Introduction to advanced focal plane arrays, 国防工业出版社, 2011-01, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
   
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生