基本信息
于丽娟 女 硕导 中国科学院半导体研究所
email: ylj@red.semi.ac.cn
address: 半导体所家属院宿舍11号楼
postalCode: 100083
email: ylj@red.semi.ac.cn
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postalCode: 100083
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学085400-电子信息
招生方向
半导体光放大器的研究光电子器件与集成
教育背景
1996-09--2000-01 西安交通大学 博士1986-09--1989-06 吉林大学 硕士1982-09--1986-06 吉林大学 学士学位
工作经历
工作简历
2007-03~2014-07,中科院半导体研究所, 副研究员2006-03~2007-03,英国帝国理工大学, 高级访问学者2002-05~现在, 中科院半导体所, 副研究员1996-09~2000-01,西安交通大学, 博士1989-07~1999-12,西安建筑科技大学, 副教授1986-09~1989-06,吉林大学, 硕士1982-09~1986-06,吉林大学, 学士学位
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 双沟宽脊型半导体光放大器及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN 201610037070.3( 2 ) 少模面发射激光器, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN 201511006107.8( 3 ) 外腔窄线宽激光器, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN 201510999578.7( 4 ) 斜腔半导体光放大器的耦合方法 , 2014, 第 1 作者, 专利号: CN201410784618.1 ( 5 ) 一种测量半导体光放大器偏振灵敏度的装置, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN201410784900.X( 6 ) Z字形自准直半导体光放大器热沉, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410047192.1( 7 ) 晶片直接键合过程中实验参数的优化, 2005, 第 2 作者, 专利号: 200510130770.9
出版信息
发表论文
(1) Few-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for Space-Division Multiplexing, Chin. J. Semicon, 2017, 第 2 作者(2) Vertical cavity surface emitting laser with two emission controllable transverse modes, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 2 作者(3) 用阶梯变化金属纳米光栅增加介质中的光吸收, 太阳能, 2013, 第 1 作者(4) CW InP-InGaAsP Quantum-Well Lasers on Si Fabricated by Wafer Bonding, Chin. J. Semicon., 2007, 第 1 作者(5) Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100), J. Appl. Phys., 2006, 第 2 作者(6) Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction, Material Science and Engineering B, 2006, 第 2 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 模式产生、转换与复用机制及控制, 参与, 国家任务, 2014-01--2019-01( 2 ) xxxx集成光源, 负责人, 国家任务, 2017-03--2018-03( 3 ) xxxx光频梳, 参与, 国家任务, 2016-09--2020-09