080501-材料物理与化学
070205-凝聚态物理
085600-材料与化工

iC基底上石墨烯生长和物性研究S
宽带隙半导体材料生长和物性研究

1993-07--1996-06   中国科学院物理研究所   理学博士
1984-07--1987-06   辽宁大学物理系   理学硕士
1980-09--1984-06   辽宁大学物理系   理学学士

   

2008-06~现在, 中国科学院物理研究所, 研究员
1998-04~1999-09,日本东北大学金属材料研究所, 助理研究员
1996-07~2008-05,中国科学院物理研究所, 副研究员
1993-07~1996-06,中国科学院物理研究所, 理学博士
1987-07~1993-06,辽宁大学物理系, 讲师
1984-07~1987-06,辽宁大学物理系, 理学硕士
1980-09~1984-06,辽宁大学物理系, 理学学士

2015-12-31-2020-12-30,半导体学报, 编委

   

（1） 2015年新疆兵团科技进步一等奖, 一等奖, 部委级, 2015
（2） 2013年度中国科学院杰出科技成就集体奖, 部委级, 2013

（ 1 ） 一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2016103576229

（ 2 ） 一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2016102984019

（ 3 ） 紫外探测器, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201410327756.7

（ 4 ） 一种在半绝缘硅面碳化硅上原位外延生长石墨烯 PN 结的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2014103056723

（ 5 ） 一种硼掺杂石墨烯的制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 2013105563111

（ 6 ） 一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201410171889X

（ 7 ） 一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2015107365684

（ 8 ） 一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2015105986280

（ 9 ） 一种碳化硅表面处理方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2014100727196

（ 10 ） 一种光伏装置和一种产生光伏效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2015101646557

（ 11 ） 用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510071246.2

（ 12 ） 一种响应波长可调的紫外探测器, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410601733.0

（ 13 ） 一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410602352.4

（ 14 ） 一种碳化硅的欧姆电极结构及制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201110366469.3

（ 15 ） SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201110202795.0

   

（1） An Effective Approach for the Identifi cation of Carrier Type and Local Inversion Doping in Graphene by Biased Atomic Force Microscopy, Adv. Electron. Mater, 2016, 通讯作者
（2） A self-powered sensitive ultraviolet photodetector based on epitaxial graphene on silicon carbide, Chin. Phys. B, 2016, 通讯作者
（3） Field and temperature dependence of intrinsic diamagnetism in graphene: Theory and experiment, Phys. Rev., 2015, 通讯作者
（4） Bipolar Carrier Transfer Channels in Epitaxial Graphene/SiC Core–Shell Heterojunction for Effi cient Photocatalytic Hydrogen Evolution, Adv. Mater., 2015, 通讯作者
（5） The correlation of epitaxial graphene properties and morphology of SiC (0001), J. Appl. Phys., 2014, 通讯作者
（6） Fabrication of vertically aligned graphene sheets on SiC substrates, RSC ADVANCES, 2013, 通讯作者
（7） Towards intrinsic magnetism of graphene sheets with irregular zigzag edges, SCIENTIFIC REPORTS, 2013, 通讯作者
（8） 石墨烯覆盖的SiC粉末在光催化的应用, graphene covered SiC powder as advanced photocatalystic material, Appl. Phys. Lett. 100,023113, 2012, 通讯作者
（9）  Anharmonic phonon effects in Raman spectra of unsupported vertical graphene sheets, Phys. Rev. B83, 125430 , 2011, 第 2 作者
（10） Stable field electron emission of vertically standing graphene films, SMALL, 7, 450 , 2011, 第 3 作者
（11） Epitaxial graphene on 4H-SiC by pulsed electron irradiation, CHEMICAL COMMUNICATIONS, 46, 4917 , 2010, 通讯作者
（12） Raman Spectrum of Epitaxial Graphene on SiC (0001) by Pulsed Electron Irradiation , CHINESE PHYSICS LETTERS, 27, 046803 , 2010, 第 2 作者
（13） Recent Progress in GaN-Based Light-Emitting Diodes,  Adv. Mater. 21, 4641 , 2009, 第 2 作者
（14） Control performance of a single-chip white light emitting diode by adjusting strain in InGaN underlying layer, APPLIED PHYSICS LETTERS 94, 111913 , 2009, 通讯作者
（15）  Characterization of a-plane InN film grown on r-plane sapphire by MOCVD, Journal of Crystal Growth, 310, 3726 , 2008, 通讯作者
（16） Reducing dislocations of Al-rich AlGaN by combining AlN buffer and AlN/Al0.8Ga0.2N superlattices, ournal of Crystal Growth 310, 1088–1092 , 2008, 通讯作者
（17） Observation of metallic indium clusters in thick InGaN layer grown by metal organic chemical vapor deposition,,  Appl. Phys. Lett. 91, 172110 , 2007, 通讯作者

   

（ 1 ） 石墨烯的可控制备、物性与器件研究, 参与, 国家任务, 2011-01--2015-10
（ 2 ） 半导体照明用碳化硅单晶衬底的规模化制备, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
（ 3 ） 自由站立石墨烯的制备和物理特性研究, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
（ 4 ） 在SiC衬底上原位生长石墨烯的PN结及其特性研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2018-12
（ 5 ） 基于石墨烯的高灵敏紫外探测器, 负责人, 其他国际合作项目, 2015-06--2017-05