基本信息
杨辉  男  博导  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件: hyang2006@sinano.ac.cn
通信地址: 苏州工业园区若水路398号
邮政编码: 215123
部门/实验室:纳米器件及相关材料研究部

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
光电子材料与器件
新型半导体材料和器件研究

教育背景

1986-07--1991-01   中国科学院半导体研究所   博士研究生
1982-09--1985-06   中国科学院半导体研究所   硕士研究生
1978-09--1982-08   北京大学   本科
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2009-10~现在, 中科院苏州纳米所, 所长
2006-04~2009-10,中科院苏州纳米所, 筹建组组长
2002-11~2006-04,中科院半导体所, 副所长
2002-01~2002-11,中科院半导体所, 所长助理
2000-01~2002-01,中科院半导体所国家光电子工艺中心, 主任
1996-04~1999-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员、研究员
1993-04~1996-03,德国Paul-Drude-Institute研究所, 博士后、客座研究员
1991-09~1993-03,中国科学院半导体研究所, 副研究员、超薄层材料课题组组长
1986-07~1991-01,中国科学院半导体研究所, 博士研究生
1985-09~1991-08,中国科学院半导体研究所, 工作人员
1982-09~1985-06,中国科学院半导体研究所, 硕士研究生
1978-09~1982-08,北京大学, 本科
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 面向全光谱的高效半导体光电材料和器件结构的研究, 三等奖, 省级, 2012
(2) 基于纳米结构的宽光谱高效太阳能电池关键问题研究, 部委级, 2011
专利成果
( 1 ) 在蓝宝石衬底上形成半导体发光二极管管芯的方法, 2004, 第 1 作者, 专利号: 01129516.3
( 2 ) Multiple-junction solar cell, compound semiconductor device, photoelectric conversion element, and compound-semiconductor layer-lamination structure, 2014, 第 4 作者, 专利号: PCT/JP2012/072330, US 2014/0345681 A1
( 3 ) Multiple-junction solar cell, photoelectric conversion device, and compound semiconductor layer- lamination structure, 2014, 第 4 作者, 专利号: PCT/JP2012/072331, US 2014/0345680 A1
( 4 ) 一种制备三族氮化物衬底的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200710023555.8
( 5 ) 基于纳米结构的宽光谱分光器及其制法与用途, 2012, 第 2 作者, 专利号: 200910027565.8
( 6 ) 一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201010196477.3
( 7 ) 一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201010196480.5
( 8 ) 四结GaIn/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201010165596.2
( 9 ) 蓝宝石基新型倒装结构及其用途, 2013, 第 4 作者, 专利号: 201010165583.5
( 10 ) 降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用, 2013, 第 4 作者, 专利号: 201110040708.6
( 11 ) 提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用, 2013, 第 4 作者, 专利号: 201110064346.4
( 12 ) 一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: 201110198260.0
( 13 ) 一种等离子激元纳米激光器, 2014, 第 4 作者, 专利号: 201210060948.7
( 14 ) 倒置生长宽谱吸收III-V多结电池制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201210213314.0
( 15 ) 双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201210213957.5
( 16 ) 背反射式太阳能电池及其制作方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201210250372.0
( 17 ) GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: 201210496057.6

出版信息

   
发表论文
(1) Thermal analysis of GaN-based laser diode mini-array, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 9 作者
(2) Asymmetrical quantum well degradation of InGaN/GaN blue laser diodes characterized by photoluminescence, Applied Physics Letters, 2017, 第 10 作者
(3) GaN-Based Blue Laser Diodes With 2.2 W of Light Output Power Under Continuous-Wave Operation, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 10 作者
(4) Optical characterization of InGaN/GaN quantum well active region of green laser diodes, Applied Physics Express, 2017, 第 10 作者
(5) Significant increase of quantum efficiency of green InGaN quantum well by realizing step-flow growth, Applied Physics Letters, 2017, 第 10 作者
(6) Suppression of recombination in waveguide in c-plane InGaN-based green laser diodes, Superlattices and Microstructures, 2017, 第 10 作者
(7) Thermal etching rate of GaN during MOCVD growth interruption in hydrogen and ammonia ambient determined by AlGaN/GaN superlattice structures, Journal of Crystal Growth, 2017, 第 8 作者
(8) Design of InP-based metamorphic high-efficiency five-junction solar cells for concentrated photovoltaics, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 2 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 纳米真空互联实验站建设, 主持, 省级, 2014-01--2018-12
( 2 ) 蓝光激光器, 主持, 部委级, 2013-01--2017-12
( 3 ) 基于半导体激光器的下一代微投影显示全产业链核心关键技术开发, 主持, 省级, 2014-01--2016-12
( 4 ) 苏州纳米科技协同创新中心, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12
( 5 ) 化合物半导体高效多结太阳能电池材料的MBE生长与器件研制, 主持, 省级, 2012-01--2012-12
( 6 ) 高效多结太阳电池研究, 主持, 省级, 2013-01--2015-12
( 7 ) 纳米真空互联器件制备系统的研究, 主持, 部委级, 2014-09--2016-12
( 8 ) “纳米真空互联综合实验站”建设方案调研, 主持, 部委级, 2012-06--2013-08
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生