基本信息
曾一平  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: ypzeng@semi.ac.cn
通信地址: 海淀肖庄9#111号
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
085600-材料与化工
招生方向
半导体材料与器件
锑化物材料及器件研究
半导体传感器研究

教育背景

1978-09--1983-07   中国科学技术大学   学士

工作经历

   
工作简历
1997-12~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
1978-09~1983-07,中国科学技术大学, 学士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 直径六英尺砷化镓单晶研制, 二等奖, 省级, 2007
专利成果
( 1 ) 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510573693.8

出版信息

   
发表论文
(1) Electrical properties of Si and Be doped InSb and InAlSb/InSb superlatticeapplied to improve the doping effciency, Journal of Crystal Growth, 2019, 通讯作者
(2) Homoepitaxial Growth of Multiple 4H-SiC Wafers Assembled in a Simple Holder via Conventional Chemical Vapor Deposition, Journal of Crystal Growth, 2019, 通讯作者
(3) The influence fo MBE and device structure on the electicial properties of GaAs HEMT biosensors, 半导体学报, 2018, 通讯作者
(4) Low temperature transient response and electroluminescence characteristics of OLEDs based on Alq3, Applied Surface Science,, 2017, 通讯作者
(5) Effect of InSb/In0.9Al0.1Sb superlattice buffer layer on the structural and electronic properties of InSb films, Journal of Crystal Growth, 2017, 通讯作者
(6) Growth and Characterization of InSb thin film on GaAs (001) without any buffer layers by MBE, Chinese Physics Letters, 2017, 通讯作者
(7) Advantages of InGaN Light Emitting Diodes With Alternating Quantum Barriers, Journal of Display Technology, 2015, 通讯作者
(8) Alternating InGaN barriers with GaN barriers for enhancing optical performance in InGaN light-emitting diodes, Journal of Applied Physics, 2015, 通讯作者
(9) Specific detection of mercury(II) irons using AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistors, Journal of Crystal Growth, 2015, 通讯作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 半导体固态照明用超高效率氮化物LED芯片基础研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
( 2 ) 基于OLED显示单元的复合红外光传感器件的研究, 参与, 国家级, 2013-01--2016-12
( 3 ) 大型MOCVD设备产业化示范应用, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12