基本信息
曾一平  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: ypzeng@semi.ac.cn
通信地址: 海淀肖庄9#111号
邮政编码: 100083
部门/实验室:材料科学重点实验室

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
085204-材料工程
招生方向
半导体材料与器件
锑化物材料及器件研究
半导体传感器研究

教育背景

1978-09--1983-07   中国科学技术大学   学士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
1997-12~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
1978-09~1983-07,中国科学技术大学, 学士
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 直径六英尺砷化镓单晶研制, 二等奖, 省级, 2007
专利成果
( 1 ) 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510573693.8

出版信息

   
发表论文
(1) The influence fo MBE and device structure on the electicial properties of GaAs HEMT biosensors, 半导体学报, 2018, 第 11 作者
(2) Low temperature transient response and electroluminescence characteristics of OLEDs based on Alq3, Applied Surface Science,, 2017, 第 11 作者
(3) Effect of InSb/In0.9Al0.1Sb superlattice buffer layer on the structural and electronic properties of InSb films, Journal of Crystal Growth, 2017, 第 11 作者
(4) Growth and Characterization of InSb thin film on GaAs (001) without any buffer layers by MBE, Chinese Physics Letters, 2017, 第 11 作者
(5) Advantages of InGaN Light Emitting Diodes With Alternating Quantum Barriers, Journal of Display Technology, 2015, 第 11 作者
(6) Alternating InGaN barriers with GaN barriers for enhancing optical performance in InGaN light-emitting diodes, Journal of Applied Physics, 2015, 第 11 作者
(7) Specific detection of mercury(II) irons using AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistors, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 11 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 半导体固态照明用超高效率氮化物LED芯片基础研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
( 2 ) 基于OLED显示单元的复合红外光传感器件的研究, 参与, 国家级, 2013-01--2016-12
( 3 ) 大型MOCVD设备产业化示范应用, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生