基本信息
杨涛  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: tyang@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体研究所
邮政编码: 100083
部门/实验室:材料科学重点实验室

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
招生方向
低维半导体异质结构材料外延及激光器、探测器和太阳能电池等器件制备研究
半导体纳米线生长及场效应晶体管等新型纳米器件制备研究

教育背景

1994-04--1997-03   日本 德岛大学电气电子工程系   工学博士
1986-09--1989-03   哈尔滨工业大学应用物理系   理学硕士
1980-09--1984-06   黑龙江大学物理系   理学学士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2015-03~现在, 中国科学院大学, 岗位教授
2005-12~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2002-12~2005-12,东京大学生产技术研究所, 研究员
2000-04~2002-12,日本 新能源产业技术综合开发机构(NEDO), NEDO Fellow
1997-04~2000-03,日本 日立公司中央研究所, 研究员
1994-04~1997-03,日本 德岛大学电气电子工程系, 工学博士
1993-06~1994-03,日本 德岛大学电气电子工程系, 访问学者
1989-12~1993-05,哈尔滨工业大学应用物理系, 讲师
1986-09~1989-03,哈尔滨工业大学应用物理系, 理学硕士
1984-07~1989-11,哈尔滨工业大学应用物理系, 助教
1980-09~1984-06,黑龙江大学物理系, 理学学士
社会兼职
   

教授课程

化合物半导体材料生长与表征

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 朱李月华优秀教师奖, , 部委级, 2016
(2) 中国科学院百人计划, , 部委级, 2007
(3) NEDO Fellowship, 部委级, 2000
(4) 日本 德岛大学国际交流研究奖, 研究所(学校), 1997
专利成果
( 1 ) 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: ZL 201210150154.X
( 2 ) 在磷化铟衬底上砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 201110100538.6
( 3 ) 磷化镓铝作为应力补偿层的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作, 2011, 第 3 作者, 专利号: ZL 201010217374.0
( 4 ) 一种通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度稳定性的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL 200910088813.X
( 5 ) 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL 00810101761.0
( 6 ) 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201410785433.2
( 7 ) 磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610333092.4
( 8 ) 硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710062927.1
( 9 ) 多模激光器及其多模调节方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710342201.3
( 10 ) Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710870861.9
( 11 ) 基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810151209.6
( 12 ) 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL 201510012713.4
( 13 ) 铝掺杂氧化锌透明导电薄膜、制备方法及薄膜太阳能电池, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710877957.8
( 14 ) 低电阻层状结构正交相MoO3-x薄膜的制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810534896.X
( 15 ) 一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811108728.0

出版信息

   
发表论文
(1) Sol-gel derived Zn1-xMgxO :Al transparent conductive thin film and its application to thin film solar cells, Thin Solid Films, 2019-05, 第 11 作者
(2) Optically rough and physically flat TCO substrate formed by coating ZnO thin film on pyramid-patterned glass substrate, Solar Energy Materials and Solar Cells, 2019, 第 11 作者
(3) 1–2.9-THz Tunable Terahertz Beat Signal Generation Based on InAs/InP Quantum-Dot Mode-Locked Laser, IEEE Photonics Technology Letters, 2018, 第 11 作者
(4) Ultra-broadband tunable single and double-mode InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.65 μm, OPTICS LETTERS, 2018, 第 11 作者
(5) Self-Flattened ZnO:Al Transparent Conductive Thin Films Derived by Sol–Gel Process, IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2018, 第 11 作者
(6) Self-Seeded MOCVD Growth and Dramatically Enhanced Photoluminescence of InGaAs/InP Core-Shell Nanowires, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2018, 第 11 作者
(7) Defect-free InAsSb nanowire arrays on Si substrates grown by selective-area metal-organic chemical vapor deposition, NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 11 作者
(8) Influences of Ridge-Waveguide Shape and Width on Performances of InP-Based Coupled Ridge-Waveguide Laser Arrays, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2018, 第 11 作者
(9) Widely Tunable InAs/InP Quantum-Dot External-Cavity Laser with Bent-Waveguide Structure, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
(10) InP-Based Coupled Ridge Waveguide Laser Arrays Emitting at 2.1 μm, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
(11) The effect of nanoscale steps on the self-catalyzed position-controlled InAs nanowire growth, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2018, 第 11 作者
(12) All-metal electrodes vertical gate-all-around device with self-catalyzed selective grown InAs NWs array, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2018, 第 11 作者
(13) Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping, Applied Physics Letters, 2018, 第 11 作者
(14) Self-Catalyzed Growth of Vertical GaSb Nanowires on InAs Stems by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 第 11 作者
(15) Continuously tunable mode-spacing of a dual-mode external cavity InAs/InP quantum dot laser, APPLIED OPTICS, 2017, 第 11 作者
(16) Switching from Negative to Positive Photoconductivity toward Intrinsic Photoelectric Response in InAs Nanowire, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 第 11 作者
(17) Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 第 11 作者
(18) Large Signal Modulation Characteristics in the Transition Regime for Two-State Lasing Quantum Dot Lasers, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 第 11 作者
(19) Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires, Nano Letters, 2016, 第 11 作者
(20) 2004-nm Ridge-Waveguide Distributed Feedback Lasers with InGaAs Multi-Quantum Wells, IEEE Photonic Technology Letters, 2016, 第 11 作者
(21) Ultrashort Pulse and High Power Mode-Locked Laser With Chirped InAs/InP Quantum Dot Active Layers, IEEE Photonic Technology Letters, 2016, 第 11 作者
(22) Controlled-Direction Growth of Planar InAsSb Nanowires on Si Substrates without Foreign Catalysts, Nano Letters, 2016, 第 11 作者
(23) Flat-topped ultrabroad stimulated emission from chirped InAs/InP quantum dot laser with spectral width of 92 nm, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 11 作者
(24) InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition, NANOTECHNOLOGY, 2016, 第 11 作者
(25) Single-section mode-locked 1.55-mu m InAs/InP quantum dot lasers grown by MOVPE, OPTICS COMMUNICATIONS, 2016, 第 11 作者
(26) Broadband tunable InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.55 um, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 11 作者
(27) Dynamic characteristics of two-state lasing quantum dot lasers under large signal modulation, AIP ADVANCES, 2015, 第 11 作者
(28) Enhanced performance of tunable external-cavity 1.5 mu m InAs/InP quantum dot lasers using facet coating, APPLIED OPTICS, 2015, 第 11 作者
(29) High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 11 作者
(30) Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays, NANOTECHNOLOGY, 2015, 第 11 作者
(31) Self-catalyzed growth mechanism of InAs nanowires and growth of InAs/GaSb heterostructured nanowires on Si substrates, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 第 11 作者
(32) Two Different Growth Mechanisms for Au-Free InAsSb Nanowires Growth on Si Substrate, CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2015, 第 11 作者
(33) Thickness influence of thermal oxide layers on the formation of self-catalyzed InAs nanowires on Si (111) by MOCVD, Journal of Crystal Growth, 2014, 第 11 作者
(34) The self-seeded growth of InAsSb nanowires on silicon by metal-organic vapor phase epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2014, 第 11 作者
(35) Enhanced performance of quantum dot solar cells based on type II quantum dots, Journal of Applied Physics, 2014, 第 11 作者
(36) Three-region characteristic temperature in p-doped quantum dot lasers, Appl. Phys. Lett., 2014, 第 11 作者
(37) Improved efficiency of InAs/GaAs quantum dots solar cells by Si-doping, Solar Energy Materials & Solar Cells, 2013, 第 11 作者
(38) InAs/InGaAsP/InP Quantum Dot Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Chinese Physics Letters, 2013, 第 11 作者
(39) Impact of double-cap procedure on the characteristics of InAs/InGaAsP/InP quantum dots grown by metal-organic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, 2013, 第 11 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) InP基2μm波段分布反馈量子阱激光器制备研究, 主持, 国家级, 2016-01--2019-12
( 2 ) 新型高效量子点中间能带太阳能电池材料及器件研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
( 3 ) 低维半导体异质结构材料及激光器研究, 主持, 国家级, 2016-07--2019-12
参与会议
(1)Significantly enhanced performances of 1.3-m InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si-doping   Tao Yang   2018-10-03
(2)Ultra-broadband Tunable External Cavity Laser with Chirped Multiple InAs/InP Quantum Dot Active Layers   Tao Yang   2018-09-12
(3)Improved performance of 1.3-m direct Si-doped InAs/GaAs quantum dot laser   2018-09-07
(4)InAs(Sb)/GaSb core-shell nanowire arrays grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition   Tao Yang   2018-06-03
(5)Ultra-broadband Tunable InAs/InP Quantum Dot External Cavity Laser   2018-05-29
(6)Radial InAs/GaSb heterostructure nanowires on Si substrates grown by metal-organic chemical vapor deposition   2017-11-26
(7)High Performance InP-based Ridge-Waveguide Distributed Feedback Lasers with InGaAs Multi-Quantum Wells emitting at 2004 nm   2017-10-01
(8)Experimental and Theoretical Investigation of Large Signal Modulation in Two-state Lasing Quantum Dot Lasers   2017-08-21
(9)Selective-area Growth of Defect-free InAsSb Nanowires Arrays on Si Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition   2017-08-21

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生