基本信息
李晋闽  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: jmli@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083
部门/实验室:半导体照明研发中心

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
085204-材料工程
招生方向
III族氮化物半导体材料与器件
微纳光电功能材料与器件物理,大功率激光器与全固态激光技术
半导体照明关键技术与应用

教育背景

1987-12--2001-05   中国科学院西安光机所   博士
1982-09--2016-08   电子工业部第十三研究所   硕士学位
1978-09--1982-07   西安交通大学   学士学位
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
1995-06~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
1993-08~1995-05,中国科学院半导体研究所, 副研究员
1991-05~1993-07,中国科学院半导体研究所, 博士后
1987-12~2001-05,中国科学院西安光机所, 博士
1984-01~1987-08,电子工业部第十三研究所, 助理工程师
1982-09~2016-08,电子工业部第十三研究所, 硕士学位
1978-09~1982-07,西安交通大学, 学士学位
社会兼职
2004-09-29-今,国家半导体照明工程研发及产业联盟, 执行主席

教授课程

第三代半导体材料及应用
宽禁带半导体发光材料

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 2017年中国产学研合作突出贡献奖(共10名), , 其他, 2017
(2) 氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术, 二等奖, 国家级, 2015
(3) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
(4) 高功率全固态激光器关键技术及应用研究, 二等奖, 省级, 2014
(5) 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法, 部委级, 2014
(6) 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012
专利成果
( 1 ) Fabrication Method of GaN Power LEDs with Electrodes Formed by Composite Optical Coatings, 2011, 第 1 作者, 专利号: US7,704,764B2
( 2 ) Method for Manufacturing a GaN Based LED of a Black Hole Structure, 2008, 第 1 作者, 专利号: US7,285,431 B2
( 3 ) 低热阻LED封装结构及封装方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201310067793.4
( 4 ) 柔性发光器件阵列及其制作方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201510016315.X
( 5 ) 一种紫外发光二极管器件的制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410183522.X
( 6 ) LED倒装基板的结构, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201621273609.7
( 7 ) 一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410730418.8
( 8 ) 硅衬底及其制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201510266643.5
( 9 ) 一种倒装结构发光二极管及其制作方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201410658854.9

出版信息

   
发表论文
(1) Direct van der Waals Epitaxy of Crack-Free AlN Thin Film on Epitaxial WS2, Materials, 2018, 第 11 作者
(2) Fast Growth of Strain-Free AlN on Graphene-Buffered Sapphire, J. Am. Chem. Soc.,, 2018, 第 11 作者
(3) High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer, Adv. Mater., 2018, 第 11 作者
(4) Introducing carbon dots to moderate the blue emission from zinc vanadium oxide hydroxide hydrate nanoplates, RSC Adv., 2018, 第 11 作者
(5) GaN with Laterally Aligned Nanopores to Enhance the Water Splitting, Journal of Physical Chemistry C, 2017, 第 8 作者
(6) Sapphire substrate sidewall shaping of deep ultraviolet light-emitting diodes by picosecond laser multiple scribing, Applied Physics Express, 2017, 第 10 作者
(7) Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 10 作者
(8) Deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN/AlN multiple-quantum-wells on nano-patterned AlN/sapphire templates with reduced threshold power density, Journal of Alloys and Compounds, 2017, 第 11 作者
(9) AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on sputter-deposited AlN templates with epitaxial AlN/AlGaN superlattices, Superlattices and Microstructures, 2017, 第 10 作者
(10) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/ sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition†, CrystEngComm, 2017, 第 11 作者
(11) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/ sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition†, CrystEngComm, 2017, 第 11 作者
(12) High-detectivity ultraviolet photodetectors based on laterally mesoporous GaN, Nanoscale, 2017, 第 8 作者
(13) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition, CrystEngComm (SCI), 2017, 第 11 作者
(14) Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 11 作者
(15) Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells, Nanoscale, 2016, 第 11 作者
(16) Stimulated emission at 272 nm from an Al x Ga 1?x N- based multiple-quantum-well laser with two-step etched facets, RSC Advances, 2016, 第 11 作者
(17) Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on the Thermal Quenching of UVL Band, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 8 作者
发表著作
( 1 ) Thermal Management for LED Applications, Thermal Management for LED Applications, 斯普林格出版社, 2014-02, 第 1 作者
( 2 ) Ⅲ族氮化物发光二极管技术原理及其应用, III-Nitride Based Light Emitting Diode Technology and Applications, 科学出版社, 2016-10, 第 1 作者
( 3 ) 紫外光电子器件, III-Nitride Ultraviolet Emitters, 化学工业出版社/Springer, 2017-08, 第 3 作者
( 4 ) Light-Emitting Diodes, Light-Emitting Diodes, Springer, 2018-12, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生