基本信息
李晋闽  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: jmli@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
085600-材料与化工
招生方向
III族氮化物半导体材料与器件
微纳光电功能材料与器件物理,大功率激光器与全固态激光技术
半导体照明关键技术与应用

教育背景

1987-12--2001-05   中国科学院西安光机所   博士
1982-09--2016-08   电子工业部第十三研究所   硕士学位
1978-09--1982-07   西安交通大学   学士学位

工作经历

   
工作简历
1995-06~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
1993-08~1995-05,中国科学院半导体研究所, 副研究员
1991-05~1993-07,中国科学院半导体研究所, 博士后
1987-12~2001-05,中国科学院西安光机所, 博士
1984-01~1987-08,电子工业部第十三研究所, 助理工程师
1982-09~2016-08,电子工业部第十三研究所, 硕士学位
1978-09~1982-07,西安交通大学, 学士学位
社会兼职
2004-09-29-今,国家半导体照明工程研发及产业联盟, 执行主席

教授课程

宽禁带半导体发光材料
第三代半导体材料及应用

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 何梁何利基金2020年度科学与技术创新奖, , 其他, 2020
(2) 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化, 一等奖, 国家级, 2019
(3) 山西省科技创新特殊贡献奖, 省级, 2019
(4) 2017年中国产学研合作突出贡献奖(共10名), , 其他, 2017
(5) 氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术, 二等奖, 国家级, 2015
(6) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
(7) 高功率全固态激光器关键技术及应用研究, 二等奖, 省级, 2014
(8) 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法, 部委级, 2014
(9) 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012
专利成果
( 1 ) Fabrication Method of GaN Power LEDs with Electrodes Formed by Composite Optical Coatings, 2011, 第 1 作者, 专利号: US 7,704,764 B2
( 2 ) Method for Manufacturing a GaN Based LED of a Black Hole Structure, 2008, 第 1 作者, 专利号: US 7,285,431 B2
( 3 ) 低热阻LED封装结构及封装方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201310067793.4
( 4 ) 柔性发光器件阵列及其制作方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201510016315.X
( 5 ) 一种紫外发光二极管器件的制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410183522.X
( 6 ) LED倒装基板的结构, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201621273609.7
( 7 ) 一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410730418.8
( 8 ) 硅衬底及其制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201510266643.5
( 9 ) 一种倒装结构发光二极管及其制作方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201410658854.9
( 10 ) Packaging structure of light emitting diode and method of manufacture the same, 2016, 第 1 作者, 专利号: US 9,246,052 B2

出版信息

   
发表论文
(1) High responsivity GaN nanowire UVA photodetector synthesized by hydride vapor phase epitaxy, Journal of Applied Physics, 2020, 其他(合作组作者)
(2) GaN-Based LEDs Grown on Graphene-Covered SiO2/Si (100) Substrate, CYSTALS, 2020, 其他(合作组作者)
(3) Quasi van der Waals epitaxy nitride materials and devices on two dimension materials, NANO ENERGY, 2020, 通讯作者
(4) Improved Epitaxy of AlN Film for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Enabled by Graphene, Advanced Materials, 2019, 通讯作者
(5) Direct van der Waals Epitaxy of Crack-Free AlN Thin Film on Epitaxial WS2, Materials, 2018, 通讯作者
(6) Fast Growth of Strain-Free AlN on Graphene-Buffered Sapphire, J. Am. Chem. Soc.,, 2018, 通讯作者
(7) High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer, Adv. Mater., 2018, 通讯作者
(8) Introducing carbon dots to moderate the blue emission from zinc vanadium oxide hydroxide hydrate nanoplates, RSC Adv., 2018, 通讯作者
(9) Direct Growth of AlGaN Nanorod LEDs on Graphene-Covered Si, Materials, 2018, 其他(合作组作者)
(10) GaN with Laterally Aligned Nanopores to Enhance the Water Splitting, Journal of Physical Chemistry C, 2017, 第 8 作者
(11) Sapphire substrate sidewall shaping of deep ultraviolet light-emitting diodes by picosecond laser multiple scribing, Applied Physics Express, 2017, 第 10 作者
(12) Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 10 作者
(13) Deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN/AlN multiple-quantum-wells on nano-patterned AlN/sapphire templates with reduced threshold power density, Journal of Alloys and Compounds, 2017, 通讯作者
(14) AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on sputter-deposited AlN templates with epitaxial AlN/AlGaN superlattices, Superlattices and Microstructures, 2017, 第 10 作者
(15) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/ sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition†, CrystEngComm, 2017, 通讯作者
(16) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/ sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition†, CrystEngComm, 2017, 通讯作者
(17) High-detectivity ultraviolet photodetectors based on laterally mesoporous GaN, Nanoscale, 2017, 第 8 作者
(18) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition, CrystEngComm (SCI), 2017, 通讯作者
(19) Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEE Photonics Journal, 2016, 通讯作者
(20) Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells, Nanoscale, 2016, 通讯作者
(21) Stimulated emission at 272 nm from an Al x Ga 1?x N- based multiple-quantum-well laser with two-step etched facets, RSC Advances, 2016, 通讯作者
(22) Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on the Thermal Quenching of UVL Band, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 8 作者
发表著作
( 1 ) Thermal Management for LED Applications, Thermal Management for LED Applications, 斯普林格出版社, 2014-02, 第 1 作者
( 2 ) Ⅲ族氮化物发光二极管技术原理及其应用, III-Nitride Based Light Emitting Diode Technology and Applications, 科学出版社, 2016-10, 第 1 作者
( 3 ) 紫外光电子器件, III-Nitride Ultraviolet Emitters, 化学工业出版社/Springer, 2017-08, 第 3 作者
( 4 ) Light-Emitting Diodes, Light-Emitting Diodes, Springer, 2018-12, 第 1 作者
III-Nitrides Light Emitting Diodes: Technology and Applications, Springer、 Science Press,, 2020-10, 第 1 作者
( 6 ) 氮化物深紫外发光材料及器件, 科学出版社, 2020-11, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12