基本信息
戴建枰  男  博导  中国科学院高能物理研究所
电子邮件: jpdai@ihep.ac.cn
通信地址: 北京玉泉路19号乙1号厅109
邮政编码: 100049

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
082703-核技术及应用
招生方向
射频超导技术
自由电子激光

教育背景

1994-09--1997-06   中国科技大学   博士
1986-09--1994-06   清华大学   学士、硕士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2002-07~现在, 中国科学院高能物理研究所, 副研究员/研究员
1999-10~2002-06,中国科学院上海应用物理研究所, 副研究员
1997-10~1999-09,中国科学院高能物理研究所, 博士后
1994-09~1997-06,中国科技大学, 博士
1986-09~1994-06,清华大学, 学士、硕士
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
   

出版信息

   
发表论文
(1) Development of a 325 MHz =0.12 superconducting single, 中国物理C, 2014, 第 11 作者
(2) Design study on very low Beta spoke cavity, 中国物理C, 2012, 第 11 作者
(3) Bunch length measurement using a travelling wave RF deflector, Chinese Physics C, 2010, 第 2 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 注入器I 3~10MeV 超导加速器, 主持, 部委级, 2011-01--2015-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生