1. 硅基相控阵激光雷达； 

　2. 硅基光子神经网络芯片​； 

硅基光子神经网络芯片
硅基激光相控阵雷达芯片

2000-09--2003-06   山东大学   博士
1997-09--2000-06   山东大学   硕士
1993-09--1997-06   山东大学   学士

山东大学 --20030701 研究生毕业

-- 工学博士学位

   

2011-06~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-10~2011-06,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2003-07~2005-10,中国科学院半导体研究所, 博士后

中国电子学会发明二等奖“基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究”。第一完成人。

培养十余名博士研究生，其中两位同学获得中国科学院院长奖学金，五位同学获得半导体所长奖学金，三位同学获得半导体所优秀毕业生。

（ 1 ） 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备, 发明, 2012, 第 4 作者, 专利号: ZL.201110206038.0
（ 2 ） 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法, 发明, 2012, 第 4 作者, 专利号: ZL.201110206037.6
（ 3 ） 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法, 发明, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL200510059189.2
（ 4 ） 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法, 发明, 2008, 第 2 作者, 专利号: ZL200510073984.7
（ 5 ） 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法, 发明, 2007, 第 3 作者, 专利号: ZL200510011848.5
（ 6 ） 吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法, 发明, 2009, 第 3 作者, 专利号: ZL200610089590.5
（ 7 ） 倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: ZL200810115627.6
（ 8 ） 取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: ZL200810116039.4
（ 9 ） 低介电常数BCB树脂的固化方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: ZL200810116413.0
（ 10 ） 一种制备高速电吸收调制器的方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL200810225782.3
（ 11 ） 异质掩埋激光器的制作方法, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: ZL201010196147.4
（ 12 ） 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器, 发明, 2012, 第 4 作者, 专利号: Zl201010564545.7
（ 13 ） 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法, 发明, 2012, 第 4 作者, 专利号: ZL201010591447.2
（ 14 ） 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: ZL201110206340.6
（ 15 ） 一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201210154197.5
（ 16 ） 采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: ZL201210032754.6
（ 17 ） 制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: Zl201210033017.8
（ 18 ） 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: ZL201210057292.3
（ 19 ） METHOD OF MANUFACTURING SI-BASED HIGH-MOBILITY GROUP III-V/GE CHANNEL CMOS, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: US 8987141B2
（ 20 ） 基于MMI耦合器的InP基少模光子集成发射芯片, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201510882626.4
（ 21 ） 一种眼科医疗OCT技术用激光器安全功率的控制装置, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510661775.8
（ 22 ） InP基波分-模分复用少模光通信光子集成发射芯片, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: 201510547137.3
（ 23 ） 一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: 201410077528.9
（ 24 ） 一种PiNiN结构晶闸管激光器, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201310706406.7
（ 25 ） 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法, 发明, 2018, 第 5 作者, 专利号: 201810600079
（ 26 ） 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法, 发明, 2019, 第 5 作者, 专利号: ZL201611063646.X
（ 27 ） 硅基Ⅲ-Ⅴ族红外光电探测器阵列的制备方法, 发明, 2019, 第 5 作者, 专利号: 201910519509.X
（ 28 ） 硅基电注入激光器及其制备方法, 发明, 2019, 第 5 作者, 专利号: ZL201710255128.6
（ 29 ） 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法, 发明, 2019, 第 5 作者, 专利号: 201910102887.8

已指导学生

刘震  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

米俊萍  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李梦珂  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李士颜  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王嘉琪  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王梦琦  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

戴兴  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孔祥挺  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李召松  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

李亚节  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨正霞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王瑞廷  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孟芳媛  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨文宇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马鹏飞  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马建滨  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

于红艳  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

罗光振  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

正在承担的项目：

国家自然科学基金重点项目“硅基激光雷达芯片关键技术研究”项目负责人

国家重点研发计划 “有源红外气体传感材料与器件及应用”项目首席；

中国科学院前沿重点研究项目 “硅基大规模混合集成的量子阱激光器研究”项目负责人；

“光子集成芯片联合实验室”，单片集成激光雷达芯片，项目负责人；

已经结题的项目：

国家科技重大专项“硅基高迁移率材料与新器件集成技术研究”，首席科学家。

国家“863” 计划项目“ROF用多功能电吸收光调制器”，负责人。

国家“863” 计划项目“基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究”，负责人。

国家“863”计划项目“多波长硅基混合激光阵列及收发模块研究”（与北京大学合作）子课题，负责人。

国家“973”项目“InP基DFB激光器芯片制备及其与硅基波导键合研究”（与北京大学合作）子课题，负责人。

十多年的TDLAS研究经历，完成多种气体传感用激光器和传感仪器，在煤炭、石油、天然气、LNG等行业得到规模应用。

二十多年的MOCVD材料设计和生长经历，GaAs和InP 基多种波长的激光器和集成器件研究经验。硅基InGaAs/InP量子阱生长经验。

目前研究硅基单片集成激光雷达芯片，集成度高、体积小、功耗低，是无人驾驶等行业的关键技术之一；研究硅基光子集成神经网络芯片。