基本信息
牛智川 男 博导 半导体研究所
电子邮件:zcniu@semi.ac.cn
通信地址:清华东路甲35号
邮政编码:100083

研究领域

砷锑化合物半导体低维(量子阱、量子线。量子点、超晶格等)异质结构外延生长、受限光电子体系量子物理效应、高性能光电器件和量子信息器件制备。

目前研究方向主要包括:
1.In(Ga)As/GaAs量子结构材料与量子信息器件
2.In(Ga)AlAs(Sb)/GaSb低维材料与红外光电子器件

招生信息

招生专业:
1、微电子学与固体电子学
2、半导体材料与器件

3、物理电子学

研究方向
1(光电子方向):半导体量子结构材料与量子信息器件
2(光电子方向):半导体低维材料与红外光电器件
3(光电子方向):半导体外延材料生长技术

招生方向
新型半导体红外光电材料与器件
半导体纳米材料与光电器件
半导体材料生长与器件制备

教育背景

1996-10--1998-10 德国PDI固体电子学研究所 博士后
学位
中国科学院半导体研究所理学博士学位。
出国学习工作
1996-1998:德国,PDI研究所博士后
1998-1999,美国,南加州大学研究助理
学历
-- 研究生

科研活动

1、InAs/GaAs自组织量子点长波长激光器:创新发展单原子层循环调制技术生长的1.3微米自组织量子点实现室温连续激射极低阈值激光器。发明液滴法分子束外延技术,实现GaAs/AlGaAs、InGaAs/GaAs量子环生长。

2、InAs单量子点单光子/纠缠光子源:稀疏密度量子点外延技术,电驱动单量子点单光子发射器件,微腔/纳米线耦合量子点量子光源。
3、GaAs基近红外光电器件:发明N等离子源原位束流控制技术实现GaInAsN量子阱生长,研制1.3-1.5微米GaInAsN/GaAs量子阱激光器。提出In组分线性控制InGaAs/GaAs异变结生长技术,实现低阈值1.33微米InGaAs/GaAs异变量子阱激光器,1.55 微米InGaAsSb/GaAs异变量子阱激光器。
5:GaSb基锑化物窄带隙低维材料与红外光电器件:II类超晶格2-20微米光电探测响应波段覆盖,中长双色焦平面芯片,短波红外大功率和单模锑化物量子阱激光器。
 
目前承担的主要科研项目:
国家重点研发计划量子调控项目首席:半导体复合量子结构的量子输运机理及量子器件制备

国家自然科学基金委重大项目主持:锑化物低维结构中红外激光器基础理论与关键技术

国家基础加强计划重点项目首席:低噪声超晶格探测器 
中科院创新部署重点项目主持:锑化物超晶格宽谱探测器

合作情况

国际:瑞典查尔姆斯理工大学、瑞典皇家理工学院;俄罗斯约飞技物所;
国内:中国科技大学;南京大学;中山大学;

指导学生

已指导学生

张石勇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

董庆瑞  博士研究生  070205-凝聚态物理  

黄社松  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

方志丹  博士研究生  070205-凝聚态物理  

佟存柱  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郝瑞亭  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵欢  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴东海  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴兵朋  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

熊永华  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

周志强  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王海莉  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王鹏飞  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

汤宝  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

朱岩  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

贺继方  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

尚向军  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王国伟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李密锋  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王莉娟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

邢军亮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

查国伟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郝宏玥  博士研究生  080901-物理电子学  

徐建星  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

廖永平  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄书山  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吕粤希  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

韩玺  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

向伟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

蒋志  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孙姚耀  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

郑大农  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张一  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孙矩  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

袁野  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨成奥  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

谢圣文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李叔伦  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈益航  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

贾庆轩  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王天放  硕士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

周文广  硕士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

刘汗青  博士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

许雪月  硕士研究生  085204-材料工程  

崔素宁  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郝慧明  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

专利与奖励

2006年度北京市科技二等奖。

2014中国电子学会自然科学一等奖。

专利成果
(1) 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法,发明,2012,第5作者,专利号:ZL.200810116412.6
(2) 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法,发明,2013,第5作者,专利号:201310088301.X
(3) 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法,发明,2013,第5作者,专利号:ZL.201010106773.X
(4) HPT结构的InAs/GaSb超晶 格红外光电探测器, ,发明,2012,第5作者,专利号:ZL.201010123021.4
(5) 在衬底上生长异变缓冲层的方法,发明,2012,第5作者,专利号:ZL 201110121899.9

出版信息

   
发表著作
(1) 晶格工程,Lattice Engneering,Pan Stanford Publishing,2012-05,第5作者