基本信息
闫建昌  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: yanjc@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所
邮政编码: 100083

研究领域

1、氮化物半导体材料与器件;

2、氮化物半导体材料的MOCVD外延;

3、紫外发光二极管(UVLED);

4、紫外激光二极管(UV LD);

5、二维材料及微纳结构与氮化物材料、器件的创新融合;

6、氮化物半导体无源光子学;

6、氮化物半导体人工光合成。

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
氮化物半导体材料与器件
GaN基LED及激光器
低维结构材料与器件

教育背景

2004-09--2009-07   中国科学院半导体研究所   工学博士
2000-09--2004-07   清华大学   学士学位

工作经历

   
工作简历
2018-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2013-01~2017-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2009-07~2012-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员

教授课程

第三代半导体材料及应用

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 国家科学技术进步奖, 二等奖, 国家级, 2015
(2) 北京市科学技术奖一等奖, 一等奖, 省级, 2012
专利成果
( 1 ) 紫外发光二极管器件的制备方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201611114395.3
( 2 ) 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201611164611.5
( 3 ) 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710399111.8
( 4 ) 紫外LED匀光装置及其应用, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN201911093963.X
( 5 ) 反极性垂直发光二极管及其制备方法, 发明, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN201911099376.1
( 6 ) 基于紫外LED杀菌新风系统及应用, 发明, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN201911093998.3
( 7 ) 具有消毒功能的便携式充电装置及应用, 发明, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN201910806164.6
( 8 ) 肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件, 发明, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN201910438467.7

出版信息

   
发表论文
(1) Surface Polarity-Induced Spatial Charge Separation Boosts Photocatalytic Overall Water Splitting on GaN Nanorod Arrays, ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION, 2019-11, 通讯作者
(2) Deep ultraviolet light-emitting diodes based on a well-ordered AlGaN nanorod array, PHOTONICS RESEARCH, 2019-09, 通讯作者
(3) Deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance via nanoporous AlGaN template, Optics Express, 2019, 通讯作者
(4) Exfoliation of AlN film using two-dimensional multilayer hexagonal BN for deep-ultraviolet light-emitting, Applied Physics Express, 2019, 通讯作者
(5) Direct van der Waals Epitaxy of Crack-Free AlN Thin Film on Epitaxial WS2, materials, 2018, 通讯作者
(6) Enhancing the light extraction of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes in the nanoscale, Journal of Nanophotonics, 2018, 通讯作者
(7) Improved crystalline quality of Al-rich n-AlGaN by regrowth on nanoporous template fabricated by electrochemical etching, Journal of Nanophotonics, 2018, 通讯作者
(8) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition, CrystEngComm, 2017, 通讯作者
(9) Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEE Photonics Journal, 2016, 通讯作者
(10) Deep ultraviolet lasing from AlGaN multiple-quantum-well structures, P hys. Status Solidi C, 2016, 第 1 作者
(11) 282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates, Applied Physics Letters, 2013, 通讯作者
(12) Photoluminescence properties of Al-rich AlXGa1-XN grown on AlN/sapphire template by MOCVD, Physica Status Solidi C, 2012, 第 2 作者
(13) Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition, Physica Status Solidi C, 2011, 第 1 作者
(14) Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face III-nitride structure, Applied Physics Letters, 2010, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) AlGaN基紫外激光二极管研究, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12
( 2 ) 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 参与, 国家级, 2016-07--2021-06
( 3 ) 北京市科技新星计划项目, 主持, 省级, 2018-01--2020-12
( 4 ) 基于III族氮化物半导体深紫外发光材料的微盘激光器研究, 主持, 国家级, 2019-01--2019-12
( 5 ) 中国科学院青年创新促进会人才项目, 主持, 部委级, 2017-01--2020-12

指导学生

现指导学生

谷文  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

蔡听松  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

任睿  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学